SC Trend Power SRL

Noua tehnologie de fabricaţie 3D este bazată pe o versiune îmbunătăţită a propriei tehnologii de fabricaţie Charge Trap Flash, care foloseşte nitrură de siliciu în locul stratului conductiv obişnuit fabricat din siliciu dopat şi oferă costuri de producţie mai mici şi capacităţi mai mari. Plecând de la aceasta, Samsung a pus la punct o tehnologie de fabricaţie Vertical NAND (V-NAND) care permite împachetarea celulelor de memorie nu doar în plan, aşa cm s-a procedat până acum, ci într-o structură tridimensională.

V-NAND permite utilizarea mult mai bună a volumului unui cip, oferind astfel posibilitatea livrării unor memorii cu capacităţi mai mari. În prezent, tehnologia permite stivuirea unui număr de maximum 24 de straturi, însă posibilităţile de extindere sunt viabile iar limitările sunt încă necunoscute.

Conform Samsung, noile memorii V-NAND au o fiabilitate de 10 ori mai mare decât cea a vechilor modele planare, oferă o performanţă dublă la scriere şi, momentan, posibilităţi duble de scalare faţă de tehnologiile de litografiere pe 20 de nanometri.

Primele cipuri produse de Samsung au o capacitate de 128 Gbit (16 GB), similare celor oferite de soluţiile NAND clasice, însă acestea pot fi împachetate în configuraţii care ajung până la 1 Tbit, în funcţie de cererea clienţilor. Aceste memorii V-NAND vor ajunge în unităţile de stocare SSD sau memoriile interne ale telefoanelor şi tabletelor. Compania nu a dezvăluit dacă există deja clienţi pentru noile produse, însă îi vom afla atunci când vom vedea primele telefoane cu memorii interne de 128 GB sau 256 GB.

La începutul acestui an, Intel a lansat o versiune o versiune specială a procesoarelor sale din seria Ivy Bridge care stipula un consum de numai 7W. Aceasta a fost disponibilă doar în cantităţi extrem de limitate şi nu a fost implementată în nici un produs comercial, însă Intel a anunţat că lansarea generaţiei Haswell va remedia acest lucru. Primul model Haswell din seria cu consum scăzut Y a fost anunţat în iunie, acesta având un consum de 6W, însă Intel a anunţat că acesta va fi actualizat până la finalul anului la o versiune cu un consum de numai 4,5 W.

Faţă de procesoarele sale obişnuite, inclusiv cele din gama ULT care ne-au impresionat deja cu autonomia lor, modelele din seria Y specifică un alt gen de consum. În locul faimosului Thermal Design Power (TDP), care reflectă consumul şi energia disipată în cursul unor teste dure specifice unui sistem PC, modelele Y folosesc aşa-numitul Scenario Design Point (SDP), care reflectă scenariile de utilizare specifice unei tablete sau ultraportabil.

Consumul real al acestor procesoare este în continuare de 11,5W, însă acesta poate fi susţinut doar pe perioade limitate timp, acestea fiind fabricate în mod explicit pentru tablete cu consum mai redus de resurse. Actualul Haswell din seria Y oferă un consum SDP de 6W, însă lansarea unui model cu un consum de numai 4,5W va permite realizarea unor tablete sau laptopuri extrem de subţiri care vor putea funcţiona doar cu sisteme pasive de răcire, la fel ca tabletele ARM obişnuite.

Intel afirmă că noile procesoare din seria Y vor ajunge la producători până la sfârşitul acestui an, evitând însă să afirme când vom putea vedea şi produsele finite. Cu aceste procesoare şi viitoarea generaţie Atom, Intel încearcă să cucerească procente suplimentare din piaţa tabletelor şi ultraportabilelor, încercând astfel să compenseze deteriorarea constantă a pieţei PC cu produse x86 mai mici, mai uşoare şi mai ieftine.